Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Приложения
General Purpose
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Защита от неисправностей
Over Temperature, UVLO
Конфигурация выхода
Half Bridge
Особенности
Bootstrap Circuit
Тип нагрузки
Inductive, Capacitive, Resistive
Ток - Пиковая выходная мощность
12A
Напряжение питания
4.75V ~ 9.5V
Корпус
31-VQFN Exposed Pad
Поставщик Устройство Корпус
31-QFN (9x9)
Напряжение - Нагрузка
520V (Max)