Управляемая конфигурация
Half-Bridge
Тип затвора
MOSFET (N-Channel)
Логическое напряжение - VIL, VIH
1V, 2V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TA)
Корпус
10-WFDFN Exposed Pad
Поставщик Устройство Корпус
10-DFN (3x3)
Высокое напряжение стороны - Макс (Bootstrap)
100 V
Напряжение питания
8V ~ 15V
Тип монтажа
Surface Mount, Wettable Flank
Ток - Пиковая выходная мощность (Источник, Сток)
2.7A, 2.7A
Время нарастания / спада (тип.)
105ns, 46ns