LMG2100R044RARR
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LMG2100R044RARR LMG2100R044RARR
Référence :
LMG2100R044RARR
Fabricant :
Description :
100-V 4.4-M HALF-BRIDGE GAN FET
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$10.01
$10.01
10+
$6.85
$68.5
100+
$5.47
$547
Statut de la pièce
Active
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C
Type de montage
Surface Mount
Grade
-
Qualification
-
Tension d'alimentation
4.75V ~ 5.25V
Interface
PWM
Configuration de sortie
Half Bridge
Protection contre les défauts
UVLO
Caractéristiques
Bootstrap Circuit
Rds On (Typ)
4.4mOhm
Applications
Synchronous Buck Converters
Type de charge
Inductive, Capacitive, Resistive
Courant de sortie / Canal
35A
Technologie
NMOS
Boîtier
17-PowerVQFN
Courant - Crête de sortie
125A
Tension - Charge
0V ~ 90V
Fournisseur Dispositif Emballage
17-VQFN-FCRLF (5.5x4.5)
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